二十年磨一剑,长江存储打破核心部件垄断,填补国内高端芯片空白

今天的你,很有可能错过了一条大新闻。

一向低调的“长江存储”官方微信,在时隔4个月后终于更新了。

长江存储“官宣”骄傲之情,溢于文字。

该篇报道有点长,小编就总结一句话:长江存储,已经可以自己设计制造高端芯片了。

最让我们自豪的,这是“武汉造”。

图/长江存储64层3D NAND闪存晶圆

破除垄断而生

据《半导体行业观察》报道,过去几年,因为存储产品的大幅涨价,让大家正式认识到存储的重要性,但这是一个被几家厂商高度垄断,而中国几近空白的市场。

据资料显示,三星,镁光、SK海力士和东芝等几家厂商几乎垄断了全球的NAND Flash市场供应,其中三星多年位居龙头。

在这样背景下,长江存储科技有限责任公司(“长江存储”)于2016年7月在中国武汉成立,是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。

图/国家存储器基地

内人士说,“存储器就像一个保险箱,而我们现在把自己的钱放在别人的保险箱里。”

据了解,存储芯片占整个芯片市场的1/3,另外是计算芯片和通讯、感知芯片,我国发展通讯芯片有一定基础,而国内大规模存储芯片的自产率,是零。

没有自己生产的存储器芯片,影响的是13亿国人。举个例子,极端情况是,如果手机里的存储芯片全都是进口,如果国际上出现贸易封锁,手机厂商拿不到进口的存储芯片,手机就停产了,所有人都不能换手机了。

国家存储器瞄准的目标,是实现国家工业粮食自主供应,而且,研发目标直指世界最前沿的技术,但到现在为止,我国生产的很多芯片,离世界前沿差距比较大,差距在2到3代技术左右。

芯片制造被誉为“工业皇冠上的明珠”,“5毫米见方的硅片上,电路只有头发的几百分之一粗细,肉眼无法看到,每个存储器加工过程有66步工艺,一步都不能做错而且芯片加工设备昂贵,流片出错的成本极高,一不小心损失可达上千万元。”华中科技大学光电学院副院长缪向水说,我国芯片技术落后于世界,追赶上去需要一定时间。

图/长江存储自主研发的突破性Xtacking®架构

长江存储成立后的发展速度,超出了市场预期。

“Xtacking®技术的研发成功和64层3DNAND闪存的批量生产标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。”长江存储毫不隐晦这个具有划时代意义的产品。

二十年磨一剑

事实上,长江存储的历史,最早要追踪到2000年。

2000年,中国集成电路产业“黄金十年”开启,武汉“芯”梦想开始酝酿。两年时间,省市先后寻找10多家国内外知名芯片厂合作。经过反复研究、专家论证,准备成立“武汉新芯”,上马数十年来中部地区第一条12英寸集成电路生产线项目。

“武汉新芯”一期省、市107亿元的投资,占当年省内国有经济投资总额的近十分之一,可见当时决心之大。

华中科技大学超大规模集成电路与系统研究中心主任邹雪城教授作为专家小组组长,投出唯一一张反对票。他的理由是,当时百亿元投资规模太小,缺乏规模效应难以盈利。

图/长江存储核心厂区近况

2006年“武汉新芯”诞生。“如果不做这件事,在中国未来半导体产业的版图上,就没有湖北武汉的名字。”回首往事,邹雪城感慨湖北武汉的主动作为,“工业时代拼的是钢含量,信息化时代拼的就是硅含量,武汉希望抢占高端制造的制高点,所以,追赶再难,也必须要追。”

十年坚持殊为不易,由于产能未达到盈亏平衡点,武汉始终承压,但始终不弃。十年磨一剑,武汉为国家保留了自主知识产权发展存储器产业“火种”,最终得到了国家战略印证。

图/长江存储

2015年,发展存储器芯片正式被确定为国家战略。2016年国家存储器基地项目正式启动,长江存储作为项目实施主体组建,“武汉新芯”成为其全资子公司。标志着中国集成电路存储芯片产业,在规模化发展上实现了“零”的突破。